SubChapter 3.11 ~ Ilmi Zikri Rahman

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung arus (switching), stabilisasi tegangan, dan modulasi sinyal.

Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori, diantaranya seperti di bawah ini:

1) Berdasarkan tipe diantaranya seperti: UJT, BJT, JFET, IGBT, IGFET, “MOSFET”, HBT, VMOSFET, MISFET, HEMT, MESFET dan lain sebagainya.

2) Berdasarkan materi semikonduktor diantaranya germanium, silikon dan gallium arsenide.

3) Berdasarkan kemasan fisiknya diantaranya seperti: IC, through hole metal, surface mount, through hole plastic dan lain sebagainya.

4) Berdasarkan polaritas diantaranya seperti: PNP atau P-channel dan NPN atau N-channel.

5) Berdasarkan maximum kapasitas daya, diantaranya seperti: Low power, medium power dan high power.

6) Berdasarkan maximum frekwensi kerja, yang diantaranya: Low, medium atau high frequency, RF transistor, Microwave dan lain sebagainya.

7) Berdasarkan aplikasi yang diantaranya seperti, amplifier, audio, general purpose, tegangan tinggi dan lain sebagainya.

2. Resistor

Resistor merupakan komponen elektronik yang memiliki dua pin dan didesain untuk mengatur tegangan listrik dan arus listrik. Resistor mempunyai nilai resistansi (tahanan) tertentu yang dapat memproduksi tegangan listrik di antara kedua pin dimana nilai tegangan terhadap resistansi tersebut berbanding lurus dengan arus yang mengalir.

3. Battery

Baterai berfungsi sebagai sumber energi listrik yang nanti dialirkan dalam rangkaian listrik.

4. Lampu LED

LED (Light Emitting Diode)adalah sebuah komponen elektronika yang memiliki kemampuan dapat memancarkan cahaya monokromatik melalui tegangan maju. Komponen yang satu ini masuk dalam keluarga dioda karena menggunakan bahan semi konduktor.

5. Switch

Fungsi switch pada rangkaian elektronika sesungguhnya alat yang dapat atau memiliki fungsi untuk menghubungkan dan memutuskan aliran listrik (arus listrik) pada jaringan arus listrik kuat maupun jaringan arus listrik yang lemah. Sistem kerjanya sebagai pemutus atau pemilih sinyal secara mekanik.

6. Ground

C. DASAR TEORI (Daftar Isi)

Setelah transistor dibuat dengan menggunakan salah satu teknik yang dijelaskan, biasanya timah, emas, aluminium, atau nikel kemudian dipasang dan seluruh struktur dikemas dalam wadah seperti yang ditunjukkan pada Gambar 3.29. Perangkat dengan konstruksi tugas berat adalah perangkat berdaya tinggi, sedangkan perangkat dengan kaleng kecil (topi atas) atau bodi plastik adalah perangkat berdaya rendah hingga sedang.

Gambar 3.29 Various types of transistors:

(a) Courtesy General Electric Company;

(b) and (c) Courtesy of Motorola Inc.;

(d) Courtesy International Rectifier Corpo-ration

Jika memungkinkan, casing transistor akan memiliki beberapa tanda untuk menunjukkan kabel mana yang terhubung ke emitor, kolektor, atau basis transistor. Beberapa metode yang umum digunakan ditunjukkan pada Gambar 3.30.

Gambar 3.30 Transistor terminal identification

Konstruksi internal paket TO-92 di jalur Fairchild terlihat pada Gambar 3.31. Perhatikan ukuran yang sangat kecil dari perangkat semikonduktor sebenarnya. Ada kabel ikatan emas, bingkai tembaga, dan enkapsulasi epoksi.

Empat (quad) individu pnp transistor silikondapat ditempatkan dalam kemasan plastik dual-in-line 14-pin yang tampak pada Gambar 3.32a. Sambungan pin internal terlihat pada Gambar 3.32b. Seperti paket IC dioda, lekukan di permukaan atas menunjukkan pin nomor 1 dan 14.

Gambar 3.31 Internal construction of a Fairchild transistor in a TO-92 package

Gambar 3.32 Type Q2T2905 Texas Instruments quad pnpsilicon transistors:

(a) appearance; (b) pin connections.

D. PILIHAN GANDA (Daftar Isi)

1)      Pada transistor npn, pembawa mayoritas pada basis adalah…
a.       Elektron bebas
b.      Hole
c.       Tidak ada
d.      Kedua-duanya
2)    Untuk bias emiter, tegangan pada resistor emiter sama dengan tegangan antara emiter dan…
a.       Basis   b.      Emiter   c.       Collector   d.      Ground

E. ESSAY (Daftar Isi)

1)      Paparkan penjelasan mengenai Common Base, Common Collector, Common Emitter!
Ø Konfigurasi Common Base adalah rangkaian dengan kaki basis transistor yang terhubung bersama, atau basis transistor yang di ground-kan.
Ø Konfigurasi Common Collector adalah rangkaian dengan kaki kolektor transistor yang terhubung bersama, atau bagian kolektor transistor yang di ground-kan.
Ø Common Base biasanya banyak digunakan pada rangkaian penguat frekuensi tinggi diatas 10MHz yang mengutamakan penguatan tegangan dibandingkan dengan penguatan arus. Selain itu karena konfigurasi dengan common base memiliki impedansi masukan yang rendah, maka konfigurasi ini tidak cocok untuk digunakan pada rangkaian penguat frekuensi rendah karena akan membebani impedansi input yang biasanya dibutuhkan impedansi masukan tinggi pada rangkaian audio.
2)      Jelaskan sifat-sifat konfigurasi transistor Common Base!
Berikut ini adalah beberapa sifat dari rangkaian penguat transistor yang dikonfigurasikan sebagai common base.
Ø Konfigurasi transistor common base memiliki penguatan arus yang sangat kecil.
Ø Memiliki penguatan tegangan yang tinggi.
Ø Memiliki impedansi input yang rendah, dan impedansi output tinggi.
Ø Pada umumnya memiliki penguatan hingga 40 dB.
Ø Cocok digunakan pada rangkaian penguat frekuensi tinggi (HF).

F. PROBLEM (Daftar Isi)

Pada suhu berapakah dioda Zener 10-V pada Gambar 1,50 memiliki tegangan nominal 10,75 V?
(Petunjuk: Perhatikan data pada Tabel 1.4.)

Solusi

Lihat Tabel 1.4 dan lihat Gambar 1.50 untuk karakteristik uji Zener di buku teks.

Karena koefisien suhu positif, potensial zener yang didefinisikan oleh VZ' adalah sebagai berikut.

Di sini, Vz adalah nominal tegangan zener dan ∆Vz merupakan perubahan potensial zener yang dihasilkan karena variasi suhu.

Hitung perubahan potensial zener yang dihasilkan karena variasi suhu.

Subtitusi 10.75 V untuk V'Z dan 10 V untuk Vz

Tuliskan ekspresi koefisien suhu yang mencerminkan persen perubahan tegangan zener dengan suhu.

Subtitusikan 0.072 untuk Tc , 10 V untuk VZ, 0,75 untuk ∆Vz , 25 c untuk T0